[发明专利]具有内陷电极的半导体发光元件有效
| 申请号： | 200510027807.5 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1719631A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 江风益;王立;方文卿;周毛兴;刘和初 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导体层上的第二欧姆电极，特征是第二导电类型半导体层表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二欧姆电极的厚度，且第二欧姆电极形成于凹坑内。衬底和第一导电类型半导体层之间有一金属叠层。所述的第一导电类型半导体层为P型层，所述的第二导电类型半导体层为N型层，N型层和P型层之间还有一发光层。本发明可改善传统半导体发光元件的电极牢固度问题，从而解决影响欧姆接触性能和元件长期工作的可靠性的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内陷 电极 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1、一种具有内陷电极的半导体发光元件，包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导体层上的第二欧姆电极，其特征在于：第二导电类型半导体层表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二欧姆电极的厚度，且第二欧姆电极形成于凹坑内。
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