[发明专利]用于半导体器件制造的测量工具的校准方法和系统有效
申请号: | 200510027816.4 | 申请日: | 2005-07-14 |
公开(公告)号: | CN1897242A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | 王邕保;陈瑜 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01D18/00;G01R35/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种对多个测量系统进行校准的方法,包括:获得一个第一组校准标准,该第一组校准标准与多个预定值相关联。另外,该方法还包括通过多个测量系统对该第一组校准标准进行测量以获得一个第一组测量值,处理与该第一组测量值相关联的信息,至少依据与所述多个不确定性相关联的信息而从所述多个测量系统中选择一个第一测量系统,并通过第一组校准标准对该第一测量系统进行校准以获得第二组校准标准,通过第一测量系统对第二组校准标准进行测量以获得第二组测量值。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 制造 测量 工具 校准 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种对多个测量系统进行校准的方法,包括:获得一个第一组校准标准,所述第一组校准标准与多个预定值相关联;通过多个测量系统对所述第一组校准标准进行测量以获得一个第一组测量值;处理与所述第一组测量值相关联的信息;至少根据与所述第一组测量值相关联的信息从所述多个测量系统中选择一个第一测量系统;通过所述第一组校准标准对所述第一测量系统进行校准;获得一个第二组校准标准;通过所述第一测量系统对所述第二组校准标准进行测量,以获得一个第二组测量值,所述第二组测量值的每一个都与所述第二组校准标准中的一个相对应;通过所述第二组校准标准对所述多个测量系统中的一个第二测量系统进行校准,所述第二组校准标准与所述第二组测量值相关联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造