[发明专利]一种太阳能级硅单晶用料配方及制备

摘要

本发明涉及一种太阳能级硅单晶的制备，其特征在于，利用废弃的硅多晶埚底料及单晶片料作主要原料来制备太阳能级硅单晶棒，其方法为：首先对硅多晶埚底料及单晶片料进行分类清洗，进行酸处理；去离子冲洗液浸泡至中性，pH值接近于7，放入烘箱烘干，然后装袋，将处理后的埚底料及单晶片料配方，根据硅多晶埚底料及单晶片料的导电型号、电阻率的高低进行搭配，同时满足其重量比配方为：单晶片40－60％、埚底料34－46％、多晶或头尾料5－15％；将配料装入导流筒系统或非导流筒系统采用抽空充氩，减压工艺进行生产，Ar流量为300－600L/H，炉压为3000－2000Pa，生产出太阳能级硅单晶。本发明的优点是节约资源。

主权项

1.一种太阳能级硅单晶的制备，其特征在于，利用废弃的硅多晶埚底料及单晶片料作主要原料来制备太阳能级硅单晶棒，其方法为：第一步.首先对硅多晶埚底料及单晶片料进行分类：(1)型号：用冷热法来检测硅单晶埚底料及单晶片料的导电型号，把不同导电型号的料分别放置；(2)把导电型号已分置好的硅多晶料及单晶片料用四探针法来检测其电阻率值，并根据电阻率高低进行分类，其分为：N型电阻率：0.5-1Ω.cm，1-5.cm，5-10Ω.cm，及＞10Ω.cm四档。P型电阻率：0.1-0.3Ω.cm，0.3-0.5Ω.cm，0.5-3.cm，3-10Ω.cm，＞10Ω.cm五档；(3)清洗：将硅多晶埚底料用氢氟酸浸泡24小时-48小时，去掉残留在埚底料表面的石英；第二步.经氢氟酸浸泡后的埚底料及已分类的单晶片料分别放入清洁的塑料盆内在通风槽内用硝酸及氢氟酸(3∶1)的混合液进行酸处理；第三步.经酸洗后的埚底料及单晶片料用纯度为14M 的去离子冲洗液浸泡至中性，PH值接近于7，装入洁净的不锈钢盘内，放入烘箱用120℃-150℃温度烘干，然后装袋，并在包装袋上标明其导电型号、电阻率参数；第四步.太阳能级硅单晶的制备：(1)将处理后的埚底料及单晶片料进行合理的搭配。其配方为： 单晶片料 40-60％ 埚底料 34-46％ 多晶或头尾料 5-15％；(2)将配料装入导流筒系统及非导流筒系统采用抽空充氩，减压工艺进行生产，Ar流量为300-600L/H，炉压为3000-2000Pa，生产出太阳能级硅单晶。