[发明专利]超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法有效
| 申请号： | 200510027907.8 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1901143A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行前湿法处理；其次，进行薄钛淀积和难熔金属淀积；然后，进行第一次热处理；之后，进行刻蚀；最后，进行第二次热处理。该方法采用一种薄膜钛(Ti)作为难熔金属硅化物工艺中的牺牲层，取代射频溅射刻蚀(RF sputtering)的清洗方法，从而避免对器件的损伤而提高超大规模集成电路器件的可靠性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超大规模集成电路 金属硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，进行前湿法处理；其次，进行薄钛淀积和难熔金属淀积；然后，进行第一次热处理；之后，进行刻蚀；最后，进行第二次热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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