[发明专利]能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法无效
| 申请号： | 200510028246.0 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1744295A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;林殷茵;汤庭鳌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，写操作电流小，热量利用率高，功耗小，响应速度快，可提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 减小 操作 电流 纳米 相变 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米相变存储器单元的制备方法，其特征在于利用自组织或控制工艺流程得到多孔介质，形成纳米电极，其步骤为：通过阳极氧化，自组织形成多孔氧化铝；以介孔模板为掩模，通过刻蚀把多孔图形转移到下层介质材料形成多孔介质；或填充电极材料于多孔介质中，去掉表层电极材料，形成柱状电极，电极大小就是多孔介质孔的大小；淀积相变材料或者包含相变材料的复合层于多孔氧化铝层上，或多孔介质材料上，或柱状电极上，形成纳米存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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