[发明专利]高压MOS器件及其工艺实现方法有效
| 申请号： | 200510028404.2 | 申请日： | 2005-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1909242A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈晓波;伍宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压MOS器件及其工艺实现方法，在原有器件的源漏两端靠近沟道的位置加入埋入式氧化硅隔离层，并通过化学机械平面化(CMP)工艺形成拥有埋入式氧化硅隔离层的硅基板。本发明可以防止MOS器件源漏穿通，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 器件 及其 工艺 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压MOS器件，其特征在于：在器件的源漏两端靠近沟道的位置加入埋入式氧化硅隔离层。
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