[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 200510028567.0 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1909185A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 钱青 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201上海市华东路500*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，在所述的隔离壁上设有至少一个通道，该通道的宽度与长度比小于1/3。本发明使得各处理平台之间既能保持气压均衡又能使带电粒子不致互相干扰，提升了各处理平台处理条件的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，其特征在于：在所述的隔离壁上设有至少一个通道，该通道的宽度与长度比小于1/3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
