[发明专利]用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料

摘要

一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，包括3种类型，其一是Te_aSi_bSb_100－(a+b)合金薄膜，其二是Si掺杂进入Ge－Sb－Te合金之中形成的(Te_aGe_bSb_100－(a+b))_cSi_100－c薄膜，其三是Si部分取代Ge－Sb－Te合金中的Ge得到的Te_aSi_cGe _(b－c)Sb_100－(a+b)合金薄膜。本发明具有比常用的Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。

主权项

1、一种用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征在于，为Si掺杂进入TeaGebSb100-(a+b)合金形成的(TeaGebSb100-(a+b))cSi100-c薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si掺杂量c的范围在1到20原子百分比之间。