[发明专利]单片硅基SOI高温低漂移压力传感器

摘要

本发明属力敏传感器技术领域，具体涉及一种单片硅基SOI高温低漂移压力传感器。其中组成惠斯顿电桥的四个力敏电阻采用SOI材料制作；采用SOI电阻网络的内补偿和局部内电阻的外补偿技术，使零点温漂下降到1×10^－6Vs/℃以下；采用梁－膜－岛结构提高传感器的灵敏度和线性度；采用在掺浓硼的多晶硅引线表面覆盖铝引线组成传感器的内引线，避免铝引线与多晶硅力敏电阻连接时因“台阶”引起的断裂现象；采用浓硼自终止技术制作超薄硅膜的高灵度高温低漂移压力传感器。本发明提出的单片硅基SOI高温低漂移压力传感器，制作工艺简单，成品率接近100％，生产成本低，适宜于大规模生产。

主权项

1、一种单片硅基SOI高温低漂移压力传感器，其特征在于其芯片包括一个N-型或P-型硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)；绝缘层(2)表面淀积多晶硅层或制作单晶硅层，在绝缘层(2)表面用氧化光刻技术生成有四个SOI多晶硅力敏电阻(3)和内补偿的四个SOl多晶硅网络电阻(4)，并形成掺浓硼的多晶硅内引线(5)与上述电阻连接；在多晶硅内引线(5)表面覆盖铝引线(6)；SOI多晶硅力敏电阻(3)制作在中心梁(7)和边梁(8)内；内补偿多晶硅网络电阻(4)制作在边框(9)的表面，不受力的作用；芯片背面具有方形开口(10)，开口内制作有两个矩形背岛(11)，背岛的深度由传感器测量范围决定；在边框与背岛之间有边梁(8)，背岛与背岛之间有中心梁(7)；在背岛和梁的周围为硅膜(12)。