[发明专利]一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法

摘要

本发明提出了一种新型的纳米结构半导体材料——超宽超长二维纳米氧化锌单晶片的制备方法，属于半导体纳米材料制备领域。这种二维纳米氧化锌单晶材料是在氧化铅气氛催化下，利用碳粉作为还原剂，在900℃～1000℃的高温下，采用气相—液相—固相(VLS)沉积方法合成的二维纳米结构氧化锌单晶片。所得的纳米氧化锌单晶片的厚度为50～80nm，宽度为50～100μm，长度为4～6mm，宽厚比大于100，是一种典型的二维结构的纳米材料。并且在392nm处存在较强的光致发光峰，在黄绿光波段没有明显的发光峰。该方法在工艺上不同于其它纳米氧化锌结构的制备方法，所制得的纳米氧化锌具有独特的二维结构。

主权项

1、一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法，其特征在于具体工艺步骤是：(1)以氧化锌、氧化铅和碳粉为起始原来，三者的克分子比为1∶X∶Y，X＝1-4，Y＝10-20；(2)起始原料球磨混匀后，置于氧化物制成的致密陶瓷板上，然后先用带磨口直径较小的氧化物坩埚罩住，然后再用直径较大的另一个带磨口的氧化物坩埚罩住，组成一个双坩埚容器，放入加热炉中，升温到900-1000℃，通过气-液-固沉积过程保温合成二维纳米氧化锌单晶片材料；(3)缓慢降温至600℃，再自然冷却至室温。