[发明专利]光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统无效
| 申请号： | 200510029031.0 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1921248A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 严基荣;金哲会 | 申请（专利权）人： | 上海乐金广电电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/323;H01S5/10;H01S5/024;H01S5/00;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 201206上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是有关光泵浦半导体芯片及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统的，光泵浦半导体芯片在基板的上部形成第一电流阻挡层(Current blocking layer)；在上述第一电流阻挡层上部层积了多个InGaN吸收层；在每一个InGaN吸收层之间都插入了比上述吸收层多IN的InGaN量子井层；上述吸收层的最上面的吸收层上部形成第二电流阻挡层；上述第二电流阻挡层上部形成DDR(Distributed Bragg Reflection)反射镜。接着，本发明可以达到的效果是：由InGaN形成光泵浦半导体芯片的吸收层和量子井层，不使用现有的第二次高调波物质，可以实现可视光激光。 | ||
| 搜索关键词： | 光泵浦 半导体 芯片 以及 利用 垂直 外部 空穴 表面 放出 激光 系统 | ||
【主权项】：
1、光泵浦半导体芯片，包括以下几个部分：基板上部形成第一电流阻挡层(Current blocking layer)；上述第一电流阻挡层上部层积多个InGaN吸收层；每一个InGaN吸收层之间都插入了比上述吸收层含In元素多的InGaN量子井层；上述吸收层的最上面的吸收层上部形成第二电流阻挡层；上述第二电流阻挡层上部形成分布式布拉格反射DBR(Distributed BraggReflection)反射镜。
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