[发明专利]低电压触发与保存区静电放电器件

摘要

本发明提供了ESD保护技术。一种ESD保护器件包括设置在半导体衬底中的第一阱区和第二阱区，并且隔离区位于中间。N+注入区被设置在第二阱区中，并且在第一节点处耦合在一起。NLDD区被设置在N+注入区之间，并且环形注入位于每个NLDD区之下。当第一节点的电压超过击穿电压时，电流放电路径由对应的NLDD区和环形注入所限定。在一个具体实施例中，所述击穿电压小于逻辑门氧化物的击穿电压。

主权项

1.一种静电放电保护器件，所述器件包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的第一阱区和第二阱区；设置在第一阱区和第二阱区之间的隔离区；设置在第二阱区中的多个N+注入区，所述多个N+注入区在第一节点处电耦合在一起；多个NLDD区，每个NLDD区在所述多个N+注入区的两个N+注入区之间延伸；位于对应NLDD区之下的多个环形注入；设置在对应NLDD区上方的多个金属硅化物块区；以及多个电流放电路径，当第一节点的电压超过预定的击穿电压时，每个电流放电路径由对应的NLDD区和环形注入限定，其中所述击穿电压小于约3.5伏。