[发明专利]一种横向三极管仿真模型及其实现方法有效
| 申请号： | 200510029262.1 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1924867A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘忠来;邹小卫 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向三极管仿真模型及其实现方法。本发明横向三极管仿真模型，由三极晶体管Qc，三极晶体管Qp1、三极晶体管Qp2以及金属氧化物晶体管Mc相互连接组成。本发明一种横向三极管仿真模型的实现方法，第一步，计算出金属氧化物晶体管Mc的模型；第二步，计算得到三极晶体管Qc、三极晶体管Qp1以及三极晶体管Qp2的电流值，并计算出三极晶体管Qc、三极晶体管Qp1以及三极晶体管Qp2模型；第三步，得出横向三极管仿真模型。本发明的一种横向三极管仿真模型可以精确的仿真横向三极管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 三极管 仿真 模型 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向三极管仿真模型，其特征在于，包括三极晶体管(Qc)，三极晶体管(Qp1)、三极晶体管(Qp2)以及金属氧化物晶体管(Mc)，其中三极晶体管(Qc)的基极和三极晶体管(Qp1)以及三极晶体管(Qp2)的基极相连，三极晶体管(Qc)的发射极和三极晶体管(Qp1)的发射极相连接并和金属氧化物晶体管(Mc)的源极相连接，三极晶体管(Qc)的集电极和三极晶体管(Qp2)的发射极相连接并和金属氧化物晶体管(Mc)的漏极相连接，三极晶体管(Qp1)的集电极和三极晶体管(Qp2)的集电极相连接。
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