[发明专利]空芯结构射频螺线管微电感的制作方法

摘要

一种微电子技术领域的空芯结构射频螺线管微电感的制作方法，采用微机电系统技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准－LIGA技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具；采用电镀工艺和抛光技术解决线圈绕线和连接导体；采用物理刻蚀技术去除电镀用的导体，避免湿法刻蚀工艺带来的钻蚀现象。本发明解决了螺线管线圈的立体绕线及高深宽比的电镀问题，使得微电感的射频性能大大提高，具有广泛的用途。

主权项

1、一种空芯结构射频螺线管微电感的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)在清洗处理过的双面氧化的硅片衬底双面甩正胶，将硅片单面曝光、显影后，在BHF腐蚀液里刻蚀二氧化硅，最后用丙酮去除所有的光刻胶，得到双面套刻对准符号；(2)在硅片的另一面淀积Cr/Cu底层，下面工艺均在此面上进行；(3)甩正胶，曝光、显影，得到底层线圈图形，然后电镀铜底层线圈；(4)甩正胶，曝光、显影，得到引脚和平面波导线的图形，电镀引脚和平面波导线，电镀材料为铜，然后用丙酮去除所有的光刻胶；(5)甩正胶，曝光、显影，得到连接导体的图形，电镀连接导体，电镀材料为铜；(6)用丙酮去除所有的光刻胶后，用物理方法刻蚀Cr/Cu底层；(7)甩正胶，然后抛光正胶，直到连接导体暴露为止；(8)溅射Cr/Cu底层；(9)甩正胶，曝光与显影后，得到顶层线圈的图形，电镀顶层线圈，电镀材料为铜；(10)将整个基片进行全曝光，用显影液去除顶层光刻胶后，用物理方法刻蚀Cr/Cu底层，然后用丙酮去除未固化的其余光刻胶，最终得到空芯结构射频螺线管微电感。