[发明专利]氮化镓基高单色性光源阵列无效
| 申请号： | 200510029388.9 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1770483A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;王少伟;夏长生;李宁;李志锋;张波;陈平平;陈效双;陈明法 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的高单色性光源阵列包括：金属基板，在金属基板上依次排列的氮化镓发光二极管和窄带滤光片阵列。二极管作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而窄带滤光片阵列则把这个波段内的光在空间上分成若干束不同波长的单色光。本发明可以通过选择不同波段的发光二极管，并与相应的窄带滤光片阵列集成，以获得不同波段的高单色性发光阵列。这种发光阵列可以满足微小型光谱仪等在集成单色光源方面的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 单色性 光源 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基高单色性光源阵列，包括：金属基板(1)，在金属基板上依次排列的氮化镓发光二极管(2)和窄带滤光片阵列(3)，其特征在于：所说的氮化镓发光二极管是由通过分子束外延或金属有机化学气相沉积方法依次排列生长的n-GaN下电极层(201)、InGaN/GaN量子阱结构或AlGaN/InGaN异质结结构的发光层(202)和p-GaN上电极层(203)组成，其中通过调节In或Al的组分可获得不同波段的发光谱；所说的窄带滤光片阵列是由依次排列的下层膜系(301)、厚度不等的间隔层列阵(302)和上层膜系(303)组成，列阵＝m×n，m＝1、2、…，n＝1、2、…，上、下层膜系相同，均为(LH)n，间隔层为xL，其中H为高折射率膜层，L为低折射率膜层，x为间隔层系数，x取值范围为2k+1＜x≤2k+3，k＝0，1…，n为高折射率膜层与低折射率膜层交替叠层的次数，膜层的光学厚度：nd为λ0/4，λ0为设计初始窄带滤光片膜系的中心波长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司，未经中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510029388.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：会话端点管理协议
- 下一篇：用于获取数据以及对准和跟踪眼睛的系统和方法
