[发明专利]用于离散余弦变换的转置存储器电路无效
| 申请号： | 200510029543.7 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1929024A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 朱锋;陈新 | 申请（专利权）人： | 上海采微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G06F12/00;H04N7/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201100上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于数字信号处理装置的存储器电路，仅使用标准门电路实现，具有二维结构，能不间断地完成转置操作，可用于二维离散余弦变换(DCT)和二维反向离散余弦变换(IDCT)中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离散 余弦 变换 存储器 电路 | ||
【主权项】：
1、一种存储器电路，其特征是仅使用标准门电路实现，具有二维结构，包含N×N个存储器单元(N表示大于等于2的整数)，每个存储器单元有M个比特(M表示大于等于1的整数)。能不间断地完成N×N个单元的行列转置。电路有两种工作模式：行模式和列模式。工作时，不停的在两种模式间切换。无论在哪种模式下，输入和输出都可以同时进行。
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