[发明专利]表面更平整的金凸点的制造方法有效
申请号: | 200510029564.9 | 申请日: | 2005-09-12 |
公开(公告)号: | CN1933106A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 张璋炎;李圣贤;蒋瑞华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/283 | 分类号: | H01L21/283 |
代理公司: | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼仙英 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供表面更平整的金凸点制造方法,以电流密度不同的两个电镀工艺步骤代替传统的用一个电流密度的一个电镀工艺步骤。第一次电镀用低电流密度在凸点下的金属层(UBM)上淀积一层电镀金层,使UBM层下凹的中心部分被用低电流密度电镀的金层填充。然后,用大电流密度进行第二次电镀,形成金凸点上部的金保护层。因此形成更平整的金凸点表面结构。 | ||
搜索关键词: | 表面 平整 金凸点 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、表面更平整的金凸点制造方法,包括以下工艺步骤:步骤1,在半导体晶片衬底上的铝焊盘(1)上要形成金凸点的区域周边化学汽相淀积(CVD)TiN钝化层(2),TiN钝化层(2)厚度是1-2μm;步骤2,在TiN钝化层(2)上溅射淀积金凸点下的TiW-Au(UBM)金属层(3),其中,TiW层的厚度是0.3-0.5μm,Au层厚度是0.1-0.2μm;步骤3,TiW-Au金属层(3)上用低电流密度电镀形成第一层金电镀(Au)层(6),所形成的金电镀层厚度稍微大有钝化层的厚度,基本上填满了溅射淀积的金凸点下的TiW-Au(UBM)金属层(3)中心部分的凹坑;步骤4,在步骤3中电镀淀积的第一层电镀金层(6)上用大的电流密度电镀形成第二层金电镀层(7),两次电镀形成的电镀金保护层的表面粗糙度低于1.0μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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