[发明专利]倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪无效

专利信息
申请号: 200510029678.3 申请日: 2005-09-15
公开(公告)号: CN1740782A 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: 程兆谷;高海军;覃兆宇;张志平;黄惠杰;钱红斌 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G01N21/956 分类号: G01N21/956;H01L21/66
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪,其构成是:在所述的激光光源组件发出的光束前进的方向上,依次有双凹透镜和平凸透镜组成的扩束系统,双胶合聚焦透镜,光束经平面反射镜转折且聚焦倾斜入射在被测量硅片表面,硅片位于工作台上;两块凸面相对的平凸透镜构成的散射光收集镜头对散射光进行收集,光电探测器置于所述的收集镜头的焦点处,光电探测器的输出端接计算机,在硅片的反射光方向上设有一光学陷阱。本发明具有检测精度高、结构简单、体积小、信噪比高等特点。
搜索关键词: 倾斜 入射 散射 硅片 表面 缺陷 检测
【主权项】:
1.一种倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪,包括一激光光源组件(1),特征在于其构成如下:在所述的激光光源组件(1)发出的光束前进的方向上,依次有双凹透镜(2)和平凸透镜(3)组成的扩束系统,双胶合聚焦透镜(4),光束经平面反射镜(5)转折且聚焦倾斜入射在被测量硅片(6)表面,硅片(6)位于工作台(11)上;两块凸面相对的平凸透镜构成的散射光收集镜头(8)对散射光进行收集,光电探测器(9)置于所述的收集镜头(8)的焦点处,光电探测器(9)的输出端接计算机(10),在硅片(6)的反射光方向上设有一光学陷阱(7)。
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