[发明专利]一种无机半导体纳米晶与共轭聚合物杂化材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200510029878.9 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1743361A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 黄维;戚筱瑛;温贵安;汪联辉;范曲立 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C08K3/02 | 分类号： | C08K3/02;C08L101/02;C09K11/06;H05B33/14;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一类新型无机半导体纳米晶与聚合物杂化材料。通过在有机相或水相中合成无机半导体纳米晶，得到单分散性好，性能稳定，且在一定的粒径范围内可控的无机半导体纳米晶。将无机半导体纳米晶同聚合物通过键接的形式以达到无机半导体纳米晶同聚合物相互之间的能量传递。无机半导体纳米晶/共轭聚合物杂化材料可应用于太阳能电池、电致发光器件，生物传感、信息存储、通信、激光器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 半导体 纳米 共轭 聚合物 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无机半导体纳米晶与共轭聚合物杂化材料，其特征在于由无机半导体纳米晶、配体和共轭聚合物组成；无机半导体纳米晶匀分散于共轭聚合物中，形态稳定；无机半导体纳米晶的尺寸为1～100nm，粒径的单分散性为0-±5％。
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