[发明专利]可以充分吸收更广泛波长太阳光的太阳能电池结构有效
| 申请号： | 200510029974.3 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1937258A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 苏晓平;江彤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 可以充分吸收太阳光谱的太阳能电池结构，通过将染料增感塑性膜或纳米碳管淀积在硅太阳能电池的前电极上，和覆盖ITO透明导电玻璃层而构成的新的硅太阳能电池结构，具有双P－N结，可以增加太阳能电池对太阳光光谱内较长波长太阳光的吸收，使硅太阳能电池的光电转换效率显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 可以 充分 吸收 广泛 波长 太阳光 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
1.可以充分吸收太阳光谱内更广泛波长太阳光的太阳能电池结构，包括：背电极；P型硅衬底，用于形成P-N结；N+阱，用于形成P-N结；前电极；抗反射层；黑色染料涂层，用于吸收较长波长的太阳光谱；氧化铟锡透明导电玻璃，覆盖在涂敷黑色染料涂层的硅太阳能电池表面，进行密封后保护；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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