[发明专利]抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法无效
| 申请号： | 200510029987.0 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1779989A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张恩霞;张正选;王曦;陈静;孙佳胤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触相连；对于n型金属氧化物半导体场效应晶体管与源极相邻的是重掺杂p型区域，用作体接触；且源、漏极分步注入形成。在浅源极下面引入重掺杂的体接触，这种体接触结构能够大幅度地减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，而且不用特殊制备氧化埋层，适用于商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 加固 特殊 接触 绝缘体 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有特殊体接触的绝缘体上的硅场效应晶体管，其特征在于：a)在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触相连；b)对于n型金属氧化物半导体场效应晶体管与源极相邻的是重掺杂p型区域，且用作体接触；c)所述的源、漏极分步注入形成，源极和漏极注入掺杂时候的深度不同，对于n沟道器件，源极是浅n型注入，注入能量根据制作器件的膜厚度进行调节，最终形成浅源极结构；d)漏极是正常能量的n型注入，注入能量根据实际制作器件的硅膜厚度进行调节，最终形成正常深度的漏极。
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