[发明专利]太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法有效
| 申请号： | 200510030005.X | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1937259A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 衣冠君;苏晓平;江彤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在硅片表面同时形成绒面结构和PN结的方法。用低压化学汽相淀积(LPCVD)方法，在同一设备中同时在硅片表面上生成半球形硅晶粒薄层构成的粗糙绒面结构，和在低温下进行N－型杂质扩散，例如，磷扩散，P－型硅片中形成N－阱，形成PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 同时 形成 硅片 pn 方法 | ||
【主权项】：
1、太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法，包括以下工艺步骤：步骤1，硅片表面清洁处理；步骤2，低温干燥；步骤3，清洁处理后硅片被输送到LPCVD炉管中处理，在硅片表面同时形成绒面结构和PN结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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