[发明专利]用化学机械研磨形成铝特征图案的方法有效
| 申请号： | 200510030011.5 | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1941295A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 俞昌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用化学机械研磨配合蚀刻制程形成金属铝特征图案的方法，在半导体工业中，一般用反应性离子蚀刻形成铝特征图案，这是一种成熟的工艺，但是其中同样存在许多缺点，例如氧化物层凹陷、氧化物残余缺陷等。采用本发明的方法，一方面可以保证蚀刻形成镜面的过程快速有效，另一方面，由于最后采用修饰性化学机械研磨方法，进一步提高了所形成镜面的质量。采用本发明的方法，不会有氧化物层凹陷或者氧化物残余缺陷的情况出现。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 形成 特征 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用化学机械研磨形成铝特征图案的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)首先形成铝镜面上有两层电介质薄膜的结构，其中上层薄膜的材料为光刻胶或者任何一种损失性的材料，第二层的材料为电介质薄膜；(2)形成上述薄膜结构后，再进行深蚀刻制程，在蚀刻到达金属铝层表面时，或者将要蚀刻到金属铝表面时停止蚀刻；(3)对蚀刻后露出的表面进行修饰性化学机械研磨，形成金属铝和氧化物特征图案共平面的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
