[发明专利]N-型硅片上制造太阳能电池的方法无效

专利信息
申请号: 200510030012.X 申请日: 2005-09-26
公开(公告)号: CN1941426A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 苏晓平;江彤 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海新高专利商标代理有限公司 代理人: 楼仙英
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供用N-型硅片制造太阳能电池的方法,实质上是,在N-型硅晶片正面上丝网印刷铝浆料,通过干燥和焙烧所印刷的铝浆料,在N-型硅片正面上形成铝膜,在N-型硅片中引入三价的杂质铝,在N-型硅片正面上形成P+阱。N-型硅片正面与其上形成的P+阱之间形成PN结。然后用制造太阳能电池的传统工艺制造太阳能电池。
搜索关键词: 硅片 制造 太阳能电池 方法
【主权项】:
1、N-型硅晶片上制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:步骤1,检测作为制造太阳能电池基材的直径为3、5、6、8英寸的N-型硅片;步骤2,清洗N-型硅片;步骤3,腐蚀N-型硅片,在N-型硅片的表面形成绒面结构;步骤4,清洗处理;步骤5,在带有绒面结构的N-型硅片的正面上用丝网印刷机印刷铝导电浆料;步骤6,低温干燥,去除导电铝浆料中的溶剂;步骤7,烧结处理,去除导电铝浆料中的分散剂等非金属组分,在N-型硅晶片正面形成铝膜,铝作为P-型杂质扩散到N-型硅晶片中,在N-型硅晶片正面上形成P+阱,N-型硅晶片与其正面上形成的P+-阱之间形成PN结;步骤8,清洁烧结后的N-型硅片;步骤9,检查P+-阱质量;步骤10,制成氮化硅抗反射涂层(ARC),以减小反射;步骤11,检查ARC质量;步骤12,N-型硅片背面丝网印刷银导电浆料;步骤13,低温干燥,去除银导电浆料中的溶剂;步骤14,用目测和称重方法检查银导电浆料的印刷质量;步骤15,N-型硅晶片正面丝网印刷银-铝(Ag-Al)浆料;步骤16,低温干燥,去除银-铝导电浆料中的溶剂;步骤17,用目测加称重方法检查银-铝导电浆料的印刷质量;步骤18,N-型硅片背面上印刷的银导电浆料和N-型硅晶片正面上印刷的银-铝导电浆料共时烧结;和步骤19,测试所制成的太阳能电池,并进行效率分类。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510030012.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top