[发明专利]N-型硅片上制造太阳能电池的方法无效
申请号: | 200510030012.X | 申请日: | 2005-09-26 |
公开(公告)号: | CN1941426A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 苏晓平;江彤 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼仙英 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供用N-型硅片制造太阳能电池的方法,实质上是,在N-型硅晶片正面上丝网印刷铝浆料,通过干燥和焙烧所印刷的铝浆料,在N-型硅片正面上形成铝膜,在N-型硅片中引入三价的杂质铝,在N-型硅片正面上形成P+阱。N-型硅片正面与其上形成的P+阱之间形成PN结。然后用制造太阳能电池的传统工艺制造太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 硅片 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1、N-型硅晶片上制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:步骤1,检测作为制造太阳能电池基材的直径为3、5、6、8英寸的N-型硅片;步骤2,清洗N-型硅片;步骤3,腐蚀N-型硅片,在N-型硅片的表面形成绒面结构;步骤4,清洗处理;步骤5,在带有绒面结构的N-型硅片的正面上用丝网印刷机印刷铝导电浆料;步骤6,低温干燥,去除导电铝浆料中的溶剂;步骤7,烧结处理,去除导电铝浆料中的分散剂等非金属组分,在N-型硅晶片正面形成铝膜,铝作为P-型杂质扩散到N-型硅晶片中,在N-型硅晶片正面上形成P+阱,N-型硅晶片与其正面上形成的P+-阱之间形成PN结;步骤8,清洁烧结后的N-型硅片;步骤9,检查P+-阱质量;步骤10,制成氮化硅抗反射涂层(ARC),以减小反射;步骤11,检查ARC质量;步骤12,N-型硅片背面丝网印刷银导电浆料;步骤13,低温干燥,去除银导电浆料中的溶剂;步骤14,用目测和称重方法检查银导电浆料的印刷质量;步骤15,N-型硅晶片正面丝网印刷银-铝(Ag-Al)浆料;步骤16,低温干燥,去除银-铝导电浆料中的溶剂;步骤17,用目测加称重方法检查银-铝导电浆料的印刷质量;步骤18,N-型硅片背面上印刷的银导电浆料和N-型硅晶片正面上印刷的银-铝导电浆料共时烧结;和步骤19,测试所制成的太阳能电池,并进行效率分类。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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