[发明专利]氮化镓基红外-可见波长转换探测器无效
申请号: | 200510030062.8 | 申请日: | 2005-09-28 |
公开(公告)号: | CN1773732A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | 陆卫;侯颖;甑红楼;李宁;夏长生;张波;陈平平;陈效双;陈明法 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/14 | 分类号: | H01L31/14 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外-可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号,再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换,人眼可以直接观测,简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟,材料均匀性好。 | ||
搜索关键词: | 氮化 红外 可见 波长 转换 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种氮化镓基红外—可见波长转换探测器,包括衬底(1),其特征在于:在衬底(1)上依次排列生长下电极层(2)、多量子阱红外探测器(3)、AlaGa1-aN过渡层(4)、单量子阱发光二极管(5)、上电极层(6);所说的多量子阱红外探测器(3)是由交替生长50个周期的AlbGa1-bN势垒层/GaN势阱层,最后加一层AlbGa1-bN势垒层组成;GaN势阱层和AlbGa1-bN势垒层的层厚和b的取值与所要探测的红外波长有关;所说的单量子阱发光二极管(5)依次由InxGa1-xN势垒层、InyGa1-yN有源势阱层和AlaGa1-aN势垒层组成,发光二极管的发光波长可以通过调节未掺杂的InyGa1-yN有源层中的y值,从0.2到0.7,使其改变发光波长从蓝色到黄色。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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