[发明专利]氮化镓基红外-可见波长转换探测器无效

专利信息
申请号: 200510030062.8 申请日: 2005-09-28
公开(公告)号: CN1773732A 公开(公告)日: 2006-05-17
发明(设计)人: 陆卫;侯颖;甑红楼;李宁;夏长生;张波;陈平平;陈效双;陈明法 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司
主分类号: H01L31/14 分类号: H01L31/14
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外-可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号,再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换,人眼可以直接观测,简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟,材料均匀性好。
搜索关键词: 氮化 红外 可见 波长 转换 探测器
【主权项】:
1.一种氮化镓基红外—可见波长转换探测器,包括衬底(1),其特征在于:在衬底(1)上依次排列生长下电极层(2)、多量子阱红外探测器(3)、AlaGa1-aN过渡层(4)、单量子阱发光二极管(5)、上电极层(6);所说的多量子阱红外探测器(3)是由交替生长50个周期的AlbGa1-bN势垒层/GaN势阱层,最后加一层AlbGa1-bN势垒层组成;GaN势阱层和AlbGa1-bN势垒层的层厚和b的取值与所要探测的红外波长有关;所说的单量子阱发光二极管(5)依次由InxGa1-xN势垒层、InyGa1-yN有源势阱层和AlaGa1-aN势垒层组成,发光二极管的发光波长可以通过调节未掺杂的InyGa1-yN有源层中的y值,从0.2到0.7,使其改变发光波长从蓝色到黄色。
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