[发明专利]背极式硅基微型驻极体电容话筒无效
| 申请号： | 200510030144.2 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1802037A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 夏钟福;沈绍群;王飞鹏;王丽;李军;胡绘钧 | 申请（专利权）人： | 深圳市豪恩电声科技有限公司;同济大学;复旦大学 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 518109广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属传感器技术领域，具体为一种两片结构的背极式硅基微型驻极体电容话筒。其中，驻极体层位于带有背电极的固定背极板上，以单晶硅或多晶硅为振膜，振膜片上的振膜和硅框架以同种材料组成，以克服因应力不匹配导致的振膜高破损率；以二氯二甲基硅烷作为对氮氧化硅储电层的化学表面修正试剂，形成具有高抗湿能力的完善驻极体表面疏水层，通过调控栅控恒压或恒流电晕充电参数并组合热处理，以改善因包含大量声学孔的驻极体层所面临的电荷储存能力下降的问题。本发明大大提高了产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 背极式硅基 微型 驻极体 电容 话筒 | ||
【主权项】：
1、一种背极式硅基微型驻极体电容话筒，其特征在于用于电容话筒的结构单元气隙中产生准永久电场的驻极体层和用作接收外界声信号的力-电耦合层的振膜为分体式设计：储存空间电荷的驻极体层设置在带有背电极的固定背极板上，而以具有优良力学性能的非驻极体材料单晶硅或多晶硅作为振膜，使硅框架和用作力-电耦合的振膜以相同的材料组成，并用气隙将背极板和振膜片分开，构成自偏置的背极式硅基微型驻极体电容话筒。
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