[发明专利]用于嵌入式EEPROM中的一次可编程存储器器件的结构与方法

摘要

一种用于嵌入式EEPROM集成电路结构中的OTP EPROM的结构与制造方法。该结构具有包括表面区的衬底。该结构具有在表面区之上的栅极电介质。该结构还具有在第一单元区中的栅极电介质层上的第一OTP EPROM栅极以及在第二单元区中的栅极电介质层上的EEPROM浮动栅极和选择栅极。绝缘层在第一OTP EPROM栅极、EEPROM浮动栅极和选择栅极之上。OTP EPROM控制栅极在绝缘层之上且耦合到第一OTP EPROM栅极。EEPROM控制栅极在绝缘层之上且耦合到EEPROM浮动栅极。

主权项

1.一种用于具有精简单元尺寸的嵌入式EEPROM阵列中的一次可编程存储器结构的集成电路结构，所述结构包括：具有表面区的衬底；第一单元区和第二单元区；在衬底的表面区之上的第一厚度的栅极电介质层；在第一单元区中的栅极电介质之上的第一一次可编程栅极；在部分第二单元区中的隧道氧化物窗，隧道氧化物窗所具有的第二厚度小于栅极电介质的第一厚度；在第二单元区中的栅极电介质层上的EEPROM浮动栅极和选择栅极，EEPROM浮动栅极覆盖包括隧道氧化物窗口的部分栅极电介质层；在第一一次可编程栅极、EEPROM浮动栅极和选择栅极上的绝缘层；在绝缘层上的一次可编程控制栅极，一次可编程控制栅极耦合到第一一次可编程栅极；以及在绝缘层上的EEPROM控制栅极，EEPROM控制栅极耦合到EEPROM浮动栅极；其中第一单元区上的第一一次可编程栅极、绝缘层和一次可编程控制栅极提供用于嵌入式EEPROM阵列的一次可编程存储器结构的一次可编程栅极结构；以及其中一次可编程存储器结构提供一次可编程可擦除可编程只读存储器器件。