[发明专利]用于半导体器件可靠性相似度的方法与系统有效
| 申请号： | 200510030310.9 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1941311A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王邕保 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体器件的可靠性相似度的方法与系统。该方法包括提供第一多个半导体器件，提供第二多个半导体器件，以及确定与第一多个半导体器件有关的第一可靠性。第一可靠性由至少第一概率密度函数来表示。此外，该方法包括确定与第二多个半导体器件有关的第二可靠性。第二可靠性由至少第二概率密度函数来表示。此外，该方法包括处理与第一概率密度函数和第二概率密度函数有关的信息，以及至少基于与第一概率密度函数和第二概率密度函数有关的信息来确定数值。所述数值指示第一可靠性和第二可靠性之间的相似度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 可靠性 相似 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的可靠性相似度的方法，所述方法包括：提供第一多个半导体器件；提供第二多个半导体器件；确定与第一多个半导体器件有关的第一可靠性，第一可靠性由至少第一概率密度函数来表示；确定与第二多个半导体器件有关的第二可靠性，第二可靠性由至少第二概率密度函数来表示；处理与第一概率密度函数和第二概率密度函数有关的信息；至少基于与第一概率密度函数和第二概率密度函数有关的信息来确定数值；其中所述数值指示第一可靠性和第二可靠性之间的相似度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510030310.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：侧向式下水道灭蚊水箅子
- 下一篇：可在卫生间使用的连通储水装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
