[发明专利]用于CMOS技术的应变感应迁移率增强纳米器件及工艺

摘要

本发明公开了一种CMOS半导体集成电路器件。该CMOS器件包括NMOS器件，其中NMOS器件包括栅极区、源极区、漏极区以及在源极区和漏极区之间形成的NMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成碳化硅材料。碳化硅材料使沟道区处于拉伸模式。CMOS器件还具有PMOS器件，其中PMOS器件包括栅极区、源极区和漏极区。PMOS器件具有在源极区和漏极区之间形成的PMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成硅锗材料。硅锗材料使沟道区处于压缩模式。

主权项

1.一种用于形成CMOS半导体集成电路器件的方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成栅极层；对所述栅极层图案化以形成具有边缘的栅极结构；在所述栅极结构上形成电介质层来保护具有边缘的所述栅极结构，所述电介质层具有小于1000埃的厚度；对在所述栅极结构之上的所述电介质层图案化；使用所述图案化的电介质层作为保护层刻蚀邻近所述栅极结构的源极区和漏极区；将硅锗材料沉积到所述源极区和漏极区中，以填充所刻蚀的源极区和所刻蚀的漏极区；以及由形成在所述源极区和漏极区中的至少所述硅锗材料来使所述源极区和漏极区之间的沟道区产生压缩应变。