[发明专利]用于浅沟槽隔离的双制衬的方法与结构

摘要

一种用于制造设计规则小于0.13微米的集成电路器件的方法，包括提供衬底以及在衬底上形成氧化物垫层。该方法包括在氧化物垫层上形成氮化物层以及对氮化物层和氧化物垫层图案化。使用图案化的氮化物层和氧化物垫层作为硬掩模在衬底内形成沟槽结构。该方法通过至少使用对沟槽结构的暴露区域的热氧化而在沟槽结构内形成第一厚度的制衬氧化物来覆盖沟槽结构。这种热氧化在沟槽结构的拐角附近形成圆形区域。该方法选择性去除沟槽结构内的制衬氧化物。该方法通过至少使用热氧化在沟槽结构内形成第二厚度的制衬氧化物。热氧化使沟槽结构的拐角附近的圆形区域进一步圆化。该方法还选择性去除氮化物层，同时第二厚度的制衬氧化物保护沟槽区域中的衬底。

主权项

1.一种用于制造设计规则小于0.13微米的集成电路器件结构的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化物垫层；在所述氧化物垫层上形成氮化物层；对所述氮化物层和所述氧化物垫层图案化；使用图案化的氮化物层和氧化物垫层作为硬掩模在所述衬底的厚度内形成沟槽结构，所述硬掩模没有上覆的光致抗蚀剂材料；选择性刻蚀所述氧化物垫层的暴露区域的一部分以在所述衬底之上的氧化物垫层中形成底切区域；通过至少使用对所述沟槽结构的暴露区域的热氧化而在所述沟槽结构内形成第一厚度的制衬氧化物来覆盖所述沟槽结构，其中所述热氧化在所述沟槽结构的拐角附近形成圆形区域；选择性去除所述沟槽结构内的制衬氧化物；通过至少使用热氧化而在所述沟槽结构内形成第二厚度的制衬氧化物，其中所述热氧化使所述沟槽结构的拐角附近的圆形区域进一步圆化；以及选择性去除图案化的氮化物层，同时第二厚度的制衬氧化物保护所述沟槽区域中的衬底。