[发明专利]铟镓铝氮发光器件有效
| 申请号： | 200510030320.2 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1770485A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王立;江风益;方文卿 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铟镓铝氮发光器件，它包括衬底、半导体叠层、引线电极和电极引线，半导体叠层中至少包括一个N型层和一个P型层，特征是在半导体叠层中至少N型层或至少P型层具有一空缺，该空缺位于所述引线电极的引线的正下方；或包括一个具有主面和背面的导电衬底，依次在衬底主面向上层叠的粘接金属层、反射/欧姆金属层、半导体叠层、引线电极和电极引线，该半导体叠层中至少包含一个N型层和一个P型层，特征是所述的反射/欧姆金属层具有一空缺，且该空缺位于所述引线电极的引线的正下方。本发明的电极引线的下方半导体层不发光，因此可以消除因引线挡光而导致的光损失，提高发光器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓铝氮 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、一种铟镓铝氮发光器件，包括-衬底；-层叠于衬底之上的半导体叠层，该半导体叠层中至少包括一个N型层和一个P型层；-层叠于所述半导体叠层之上的引线电极；-所述引线电极的引线；其特征在于：其中所述的半导体叠层中至少N型层或至少P型层具有一空缺，该空缺位于所述引线电极的引线的正下方。
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