[发明专利]半导体器件中双栅侧壁的制造方法无效
| 申请号： | 200510030382.3 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1949479A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李奉载 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体器件中双栅侧壁的制造方法，包括：步骤1，形成栅；步骤2，淀积氮化硅(SiN)构成的第一栅侧壁；步骤3，淀积氧化硅(SiO)构成的第二栅侧壁；步骤4，干腐蚀所淀积的氮化硅(SiN)构成的第一栅侧壁和所淀积的氧化硅(SiO)构成的第二栅侧壁，在外围区形成包括氮化硅(SiN)第一栅侧壁和氧化硅(SiO)第二栅侧壁的双栅侧壁隔离层；步骤5，湿腐蚀除去单元区中的氧化硅(SiO)第二栅侧壁；步骤6，干腐蚀，使单元区中的氮化硅(SiN)第一栅侧壁形成单栅侧壁隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中双栅 侧壁 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体器件中双栅侧壁的制造方法，包括以下工艺步骤：步骤1，形成栅；步骤2，淀积氮化硅(SiN)构成的第一栅侧壁；步骤3，淀积氧化硅(SiO)构成的第二栅侧壁；步骤4，干腐蚀所淀积的氮化硅(SiN)构成的第一栅侧壁和所淀积的氧化硅(SiO)构成的第二栅侧壁，在外围区形成包括氮化硅(SiN)第一栅侧壁和氧化硅(SiO)第二栅侧壁的双栅侧壁隔离层；步骤5，用湿腐蚀除去单元区中的氧化硅(SiO)第二栅侧壁；步骤6，通过干腐蚀，使单元区中的氮化硅(SiN)第一栅侧壁形成单栅侧壁隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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