[发明专利]锡钛酸钡铁电薄膜的制备方法无效
申请号: | 200510030500.0 | 申请日: | 2005-10-13 |
公开(公告)号: | CN1947863A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | 翟继卫;宋三年 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | B05D5/12 | 分类号: | B05D5/12;B05D1/00;B05D3/02;B05C9/08;H01L41/22 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟;宁芝华 |
地址: | 20009*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于制备非铅系锡钛酸钡BTS铁电薄膜的方法领域。本发明所述的Ba(Ti,Sn)O3铁电薄膜的制备方法,其中成分锡所用的原料是二丁基氧化锡((C4H9) 2SnO)。与醋酸锡相比,本发明所使用的原材料二丁基氧化锡价格便宜、易购买,用其制备出的锡钛酸钡铁电薄膜同样具有较好的性能。本发明所使用的方法在和Si工艺的集成过程中没有铅的污染。与钛酸锶钡(BST)相比,在结构上,锡钛酸钡Ba(Ti,Sn)O3 (BTS)材料属于ABO3钙钛矿结构中的B位替代,其晶粒尺寸可以在比较大的范围内调整;性能上,相对于薄膜材料降低了漏导,提高了耐压特性。 | ||
搜索关键词: | 钛酸钡 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、Ba(Ti,Sn)O3铁电薄膜的制备方法,其特征在于,成分锡所用的原料是二丁基氧化锡。
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