[发明专利]一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO₂，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO₂，用CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I－V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。

主权项

1、一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，其特征在于具体工艺步骤依次为：(a)在(100)取向的硅片上，生长一层SiO2；(b)在SiO2上面沉积一层电极作底电极；(c)在电极上面，惰性保护气氛下，生长相变纳米点；纳米点的尺寸大小和分布密度可由退火时间、保温时间及气氛种类和大小控制；(d)再在纳米点上沉积一层相变薄膜；(e)在步骤(d)所述的相变薄膜沉积后，在非氧化性气氛保护下，采用热处理方法，使纳米点的高度变大；(f)接着在相变薄膜上再沉积一层SiO2层，且用化学机械抛光进行抛光使其平整，并使纳米点的顶端暴露。(g)在抛光平坦后的SiO2层上，沉积一层电极材料作顶电极，然后对其进行掩膜和曝光，使每个纳米点上均有电极覆盖。