[发明专利]一种含隧道结的垂直腔型光电子器件无效
| 申请号： | 200510030638.0 | 申请日： | 2005-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1780004A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;黄占超;劳燕锋;刘成;齐鸣;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/101;H01L31/18;H01S5/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 垂直 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1、一种含隧道结的垂直腔型光电子器件，包含衬底(1)、底部分布反馈布拉格腔镜(10)和顶部分布反馈布拉格腔镜(12)，其特征在于在底部分布反馈布拉格腔镜(10)和顶部分布反馈布拉格腔镜(12)中间夹有一个光学谐振微腔(11)，在谐振微腔含有一个隧道结、量子阱源层和隔离层，量子阱有源层处于微腔光场分布的最强处，隧道结处于微腔光场分布最弱处。
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