[发明专利]采用自对准浓硼基区的高频晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510030641.2 | 申请日： | 2005-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1953147A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李金林 | 申请（专利权）人： | 上海镭芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 200030上海市中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用自对准浓硼基区的高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：在多晶发射区刻蚀后，利用多晶层上的光刻胶作掩模注入浓硼；在有源区内除光刻胶保护的发射区下为淡基区外其它区域都是浓硼区，多晶层的面积与淡基区的面积相同；本发明的有益效果是：由于降低基区电阻是通过控制多晶发射区的条宽来确定浓基区的自对准的方法，减少了一次浓基区光刻工艺和相应步骤，简化了工艺使加工成本降低1/7左右；由于可以通过设计多晶层的宽度来精确控制淡基区条宽，避免了迭加的套准误差，降低了基区电阻，提高了产品的高频特性：如提高了特征频率fT和功率增益，降低了器件的噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 对准 浓硼基区 高频 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用自对准浓硼基区的高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：在多晶发射区刻蚀后，利用多晶层上的光刻胶作掩模注入浓硼；在有源区内除光刻胶保护的发射区下为淡基区外其它区域都是浓硼区，多晶层的面积与淡基区的面积相同；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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