[发明专利]一种钙钛矿结构镧锶锰氧半金属薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200510030773.5 申请日: 2005-10-27
公开(公告)号: CN1757785A 公开(公告)日: 2006-04-12
发明(设计)人: 张群;黄丽;华中一 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C23C14/00 分类号: C23C14/00;C23C14/06;C23C14/28;C23C14/54;C23C14/58
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 姚静芳
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation,CSA)制备钙钛矿结构镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3,LSMO)薄膜的方法。本发明以LaAlO3(001)单晶基片为基板,在700-850℃的基板温度下通过渠道火花烧蚀技术,利用La0.7Sr0.3MnO3陶瓷靶在适当的氧气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下,生长具有高度c轴取向性的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。所制备的薄膜具有高于室温的居里温度,在室温下具有良好的电学性能和铁磁性能。本发明方法所获得的薄膜在自旋电子器件中具有良好的应用潜能。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 结构 镧锶锰氧半 金属 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1、一种钙钛矿结构镧锶锰氧即La0.7Sr0.3MnO3半金属薄膜的制备方法,其特征是利用渠道火花烧蚀法制备薄膜,具体制备条件如下:(1)靶材是按化学剂量配比混合均匀的La0.7Sr0.3MnO3化合物烧结而成;(2)采用LaAlO3(001)单晶作为薄膜基片;维持基板温度在700~850℃;(3)高压直流功率输出源设定工作电压为-15~-19KV,工作电流为3.0~6.0mA,脉冲电子束重复频率为2.0~3.0Hz,镀膜沉积时间为0.5~30分钟;(4)将工作气体O2通入真空室,使工作气压为2.0~2.5Pa。
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