[发明专利]红外焦平面探测器的可靠性筛选方法无效
申请号: | 200510030794.7 | 申请日: | 2005-10-27 |
公开(公告)号: | CN1794438A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 叶振华;胡晓宁;廖清君 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R27/02;G01R31/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 田申荣 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种红外焦平面探测器的可靠性筛选方法,特别是指器件In凸点电学连通的可靠性筛选方法,该方法采用在光敏感列阵芯片的四周添加数个电学互连的In凸点,同时在读出电路的四周也相应添加数个电学互连的In凸点。当光敏感列阵芯片和读出电路倒焊互连构成一个焦平面探测器后,添加的数个In凸点就构成数个单个连通电阻,而光敏感列阵芯片和读出电路的公共连通焊接点可看作为公共连通电阻,再将单个连通电阻和N个公共连通焊接点并联构成一个测试回路,用电阻测试仪进行测量,对测得的阻值进行判断,就可以用于红外焦平面探测器的可靠性筛选了。本发明的优点是:测量简单,检测速度快,数据量也较小,易于实现实时可靠性检测。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 探测器 可靠性 筛选 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外焦平面探测器的可靠性筛选方法,其特征在于具体步骤如下:A.首先在光敏感列阵芯片的四个角各添加一个电学互连的In凸点,或者再在每一周边等间距添加数个电学互连的In凸点,同时在读出电路的四个角或四周也相应添加数个电学互连的In凸点;B.当光敏感列阵芯片和读出电路倒焊互连构成一个焦平面探测器后,在光敏感列阵芯片和读出电路四周之间添加的数个In凸点就构成数个单个连通电阻,而光敏感列阵芯片和读出电路的公共连通焊接点可看作为公共连通电阻,再将单个连通电阻和N个公共连通焊接点并联构成一个测试回路,用电阻测试仪进行单个连通电阻测量,利用等式: 进行In凸点电学连通性的判断,当RC突然增大,说明器件的In凸点电学连通有问题,性能不可靠;上式中,RC为测得的近似In凸点焊接的单个连通电阻,R1为真实的In凸点焊接的单个连通电阻,R2为公共连通电阻,N为公共连通电阻的个数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510030794.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气驱井采油装置
- 下一篇:计算机版式文件生成方法和打开方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造