[发明专利]C波段用微波介质陶瓷及其制造方法有效
申请号: | 200510032271.6 | 申请日: | 2005-10-17 |
公开(公告)号: | CN1778765A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 陈功田 | 申请(专利权)人: | 郴州高斯贝尔数码科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/49;C04B35/622;H01B3/12 |
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地址: | 423000湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种C波段用微波介质陶瓷及其制造方法,具有(Zr,Sn)TiO4系统材料,其特征在于,外加添加剂为ZnO、La2O3、Pb2O3、CuO、SiO2,其制造方法是,采用ZrO2、SnO2和TiO2组分,外加ZnO、La2O3添加剂后,将原料经球磨机球磨,压滤后放入900-1300℃的高温炉煅烧时间为3-5小时;再将煅烧料粉碎,加入添加剂Pb2O3、CuO、SiO2,加PVA水溶液造粒;干压成型,于1250-1400℃下保温1~5小时,排胶烧结一次完成。本发明介电常数适中,品质因数Q值高,温度稳定性好,主要用于(300MHz-30000MHz)的微波范围的电缆电视、卫星通信等系统应用领域。 | ||
搜索关键词: | 波段 微波 介质 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种C波段用微波介质陶瓷,其特征在于:所述微波介质陶瓷是由主成分:二氧化锆(ZrO2)、二氧化锡(SnO2)和二氧化钛(TiO2)以及微量添加物:氧化锌(ZnO)、三氧化二镧(La2O3)、三氧化二铅(Pb2O3)、氧化铜(CuO)和二氧化硅(SiO2)组成,各组分的含量(按重量百分比)为:ZrO2 40-54%;SnO2 30-40%;TiO2 10-20%;ZnO 0.5-2%;La2O3 0.1-5%;Pb2O3 0.5-1%;CuO 1-5%;SiO2 0.5-1.5%;
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