[发明专利]具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法无效
| 申请号： | 200510032663.2 | 申请日： | 2005-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1654419A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 周照耀;夏伟;邵明;王郡文 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/64;C04B38/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 盛佩珍 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法，包括首先将铝箔贴合在一种导电材料的表面，使材料的表面相接触，维持材料之间导电；再将贴合有铝箔的导电材料作为阳极置于电化学阳极氧化溶液中使铝箔进行氧化反应，从而将铝箔转变成三氧化二铝，并在厚度方向形成穿透的微孔，将三氧化二铝陶瓷箔从导电材料表面上分离之后，则获得具有均匀穿透微孔的单纯的三氧化二铝陶瓷箔材料。本三氧化二铝陶瓷箔材料可以直接应用于气体和液体的精细过滤。本发明可以有效、快速、方便、完整地制得独立存在纳米级孔径的三氧化二铝陶瓷箔材料，工艺简单，操作方便，经济成本低，生产效率高，适合于工业上批量生产应用，市场前景非常广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿透 纳米 氧化 陶瓷 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤和工艺条件：首先将铝箔与导电材料的表面相贴合，铝箔与导电材料的表面相接触后，维持铝箔与导电材料之间导电；再将贴合有铝箔的导电材料作为阳极置于电化学阳极氧化溶液中进行氧化反应，从而将铝箔转变成三氧化二铝，并在厚度方向形成穿透的微孔，将三氧化二铝陶瓷箔从导电材料表面上分离之后，则获得具有均匀穿透微孔的单纯的三氧化二铝陶瓷箔材料。
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