[发明专利]纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体的制备方法无效
申请号: | 200510032781.3 | 申请日: | 2005-01-19 |
公开(公告)号: | CN1658748A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
发明(设计)人: | 车晓舟 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;G12B17/02 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李卫东;罗观祥 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明是一种纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体的制备方法,该方法是采用熔体快速凝固技术制得Fe-B-Si-Nb-Cu或Fe-Si-Al系列合金鳞片,破碎获得软磁合金微粒,真空退火;采用真空蒸镀技术在磁粉表面沉积一层聚对二甲苯薄膜;将磁粉加入聚合物单体溶液中,制得悬浮体系;采用压片、挤出-压延工艺制备出所述纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体。本发明工艺简单,成本低廉,防腐蚀制备的磁体具有极高的化学稳定性,磁体屏蔽效果大大提高。 | ||
搜索关键词: | 纳米 晶软磁 合金粉 聚合物 复合 电磁 屏蔽 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体的制备方法,其特征是,包括如下步骤和工艺条件:第一步,采用熔体快速凝固技术制得厚度为10~40微米的Fe-B-Si-Nb-Cu或Fe-Si-Al系列合金鳞片,将快淬鳞片破碎获得粒度为25~140微米的软磁合金微粒,将微粉在450~600℃温度下进行真空退火30~120分钟,控制软磁合金微粉的晶粒尺寸在10~40纳米内;第二步,采用真空蒸镀技术在磁粉表面沉积一层聚对二甲苯薄膜,对磁粉表面进行绝缘和稳定化处理;第三步,将磁粉加入聚合物单体溶液中,制得稳定的悬浮体系,使单体在软磁合金粉表面发生原位聚合反应生成聚合物,实现软磁合金粉末与聚合物的均匀混合;第四步,采用压片、挤出-压延工艺制备出所述纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体。
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