[发明专利]纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体的制备方法无效

专利信息
申请号: 200510032781.3 申请日: 2005-01-19
公开(公告)号: CN1658748A 公开(公告)日: 2005-08-24
发明(设计)人: 车晓舟 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;G12B17/02
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 李卫东;罗观祥
地址: 510640广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明是一种纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体的制备方法,该方法是采用熔体快速凝固技术制得Fe-B-Si-Nb-Cu或Fe-Si-Al系列合金鳞片,破碎获得软磁合金微粒,真空退火;采用真空蒸镀技术在磁粉表面沉积一层聚对二甲苯薄膜;将磁粉加入聚合物单体溶液中,制得悬浮体系;采用压片、挤出-压延工艺制备出所述纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体。本发明工艺简单,成本低廉,防腐蚀制备的磁体具有极高的化学稳定性,磁体屏蔽效果大大提高。
搜索关键词: 纳米 晶软磁 合金粉 聚合物 复合 电磁 屏蔽 磁体 制备 方法
【主权项】:
1、纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体的制备方法,其特征是,包括如下步骤和工艺条件:第一步,采用熔体快速凝固技术制得厚度为10~40微米的Fe-B-Si-Nb-Cu或Fe-Si-Al系列合金鳞片,将快淬鳞片破碎获得粒度为25~140微米的软磁合金微粒,将微粉在450~600℃温度下进行真空退火30~120分钟,控制软磁合金微粉的晶粒尺寸在10~40纳米内;第二步,采用真空蒸镀技术在磁粉表面沉积一层聚对二甲苯薄膜,对磁粉表面进行绝缘和稳定化处理;第三步,将磁粉加入聚合物单体溶液中,制得稳定的悬浮体系,使单体在软磁合金粉表面发生原位聚合反应生成聚合物,实现软磁合金粉末与聚合物的均匀混合;第四步,采用压片、挤出-压延工艺制备出所述纳米晶软磁合金粉聚合物复合电磁屏蔽磁体。
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