[发明专利]用铜线形成半导体器件内引线的方法无效
| 申请号： | 200510033371.0 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1665010A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周少雄;吴泽伟;唐穗生;郭树源;金森荣;罗少锋 | 申请（专利权）人： | 汕头华汕电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 汕头市潮睿专利事务有限公司 | 代理人： | 唐瑞雯 |
| 地址： | 515041*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用铜线形成半导体器件内引线的方法，其步骤为：第一步，用氢气和氮气混合成的保护气；第二步，用保护气充填半导体内引线的焊接处；第三步，用粗铜线焊头将直径≥38微米的铜线依次焊接在半导体内引线的第一焊点和第二焊点处，形成半导体的内引线。所述粗铜线焊头焊接孔的上端孔径H比铜线的直径φ大5～15微米，焊接孔的下端孔径CD比铜线的直径φ大20～40微米，并且焊接孔的焊接角CA为110～130度，粗铜线焊头的外径T为223～233微米，粗铜线焊头底边的圆角半径OR为45～55微米，粗铜线焊头底面和横截面的夹角FA为4～12度。保护气中氢气和氮气的体积比的范围为1∶6～1∶10。本发明提高了半导体器件内引线的导电性能、热稳定性、抗拉强度和导热性能，生产效率高，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 铜线 形成 半导体器件 引线 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用铜线形成半导体器件内引线的方法，其步骤为：第一步，用氢气和氮气混合成的保护气；第二步，用保护气充填半导体器件内引线的焊接处；第三步，用粗铜线焊头(1)将直径≥38微米的铜线(2)依次焊接在半导体器件内引线的第一焊点和第二焊点处，形成半导体器件的内引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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