[发明专利]蚀刻监测装置及方法无效
申请号: | 200510033736.X | 申请日: | 2005-03-18 |
公开(公告)号: | CN1835199A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 张庆州 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/306 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一蚀刻监测装置,其包括一光源,一测试监测片,一单色仪,一光探测器及多个导光元件;该光源提供一参考光信号及一监测光信号,该参考光信号被传递至单色仪,由单色仪选择一单色光出射至该光探测器作为参考对比信号;该监测光信号被传递至该测试监测片,该测试监测片反射上述监测光信号,并将其传递至单色仪,单色仪选择一相同波长的单色光出射至该光探测器作为监测对比信号。本发明通过单色仪滤光及导光元件连接各部件,可有效排除其它杂散光、震动等对监测结果的影响,提供其监测精度及稳定性;另外,测试监测片的使用,无须对监测光信号进行定位,大大提高其响应速度。本发明还提供采用上述蚀刻监测装置的监测方法。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 监测 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻监测装置,用于监测待蚀刻物的蚀刻厚度,其包括:一光源;一测试监测片;一单色仪;及一光探测器;该光源提供一参考光信号及一监测光信号,该参考光信号被传递至单色仪,单色仪将其转换成单色光,并选择一第一单色光出射至该光探测器以作为一参考对比信号;该监测光信号被传递至该测试监测片,该测试监测片反射上述监测光信号,并将其传递至单色仪,单色仪将其转换成单色光,并选择一与该第一单色光具有相同波长的单色光出射至该光探测器以作为一监测对比信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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