[发明专利]碳纳米管阵列结构及其制备方法有效
申请号: | 200510034249.5 | 申请日: | 2005-04-15 |
公开(公告)号: | CN1847144A | 公开(公告)日: | 2006-10-18 |
发明(设计)人: | 姜开利;刘锴;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B82B1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种碳纳米管阵列结构及其制备方法。该碳纳米管阵列结构由相互平行的碳纳米管组成,其特征在于碳纳米管上形成有标记线。该碳纳米管阵列结构的制备方法包括下列步骤:提供一基底;在基底的一表面上形成一催化剂层;将基底加热至一定温度;间歇性供应碳源气,以生长碳纳米管。该方法生长的碳纳米管时,每一次中断碳源气的供应,都会在碳纳米管表面形成一标记线,此标记线可用作产品防伪标记,也可用于测量碳纳米管的生长速度等。 | ||
搜索关键词: | 纳米 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳纳米管阵列结构,其包括多个同方向排列的碳纳米管,其特征在于碳纳米管上形成有标记线。
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