[发明专利]一种制作硅纳米线二极管结构场发射器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作硅纳米线二极管结构场发射器件的方法，其结合碳化硅纳米晶粒的自组装制备和氢气等离子体刻蚀的方法，制备直立有序的硅纳米线阵列，并成功制作出在低栅极电压驱动下就能够发射电子的硅纳米线二极管结构场发射器件，其无需采用电子束光刻技术，极大的节约了成本，对推动硅纳米线在纳微光电子器件领域的应用有重要的意义。

主权项

1.一种制作硅纳米线二极管结构场发射器件的方法，其特征在于工艺步骤如下：(A)、在硅片上采用镀膜工艺依次沉积绝缘薄膜层和金属薄膜层，在硅片、绝缘薄膜层和金属薄膜层上均匀涂敷一层光刻胶，并采用光刻技术在光刻胶上开出微圆孔，使用刻蚀工艺依次腐蚀去除未有光刻胶保护的微圆孔中的金属和绝缘层，露出硅片表面；(B)、将(A)中二极管栅极孔洞中的硅表面上采用甲烷和氢气的混合气体的等离子体自组装沉积离散分布的碳化硅纳米晶粒；(C)、在栅孔孔洞中的硅表面，以碳化硅纳米晶粒为掩模，采用氢气等离子体对步骤(B)中二极管栅极孔洞中未覆盖有碳化硅纳米晶粒的硅表面以各向异性的方式刻蚀出垂直排列的硅纳米线阵列。