[发明专利]单层电容器用晶界层陶瓷介质瓷料、基片的制造方法及其基片有效
| 申请号： | 200510034827.5 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1719560A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 庄严;朱卓雄 | 申请（专利权）人： | 广州翔宇微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510300广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及到一种单层电容器用晶界层陶瓷的介质瓷料，其特征在于：其组成及重量份为：SrCO3 64.66～65.95，TiO2 34.99～35.69，Nb2O5 0.20～0.45，改性添加剂0.5～15；所述的改性添加剂为SiO2，Al2O3，MnO2，CaCO3，CuO中的任何一种或几种。本发明还涉及到采用上述瓷料的基片的制备方法及其这种基片。本发明的介质瓷料，其改性添加剂提高了晶界的机械电气性能，限制晶粒过度长大。本发明的制造方法使基片平整光洁，达到良好平面度、粗糙度。制造工艺中采用了氧化剂，其中氧化剂改性添加剂使氧化剂在1050～ 1250℃渗入瓷片后，形成机电性能良好的晶界层。本发明采用专门配制的隔粘剂，使产品能叠烧，不粘片，适合于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 电容 器用 晶界层 陶瓷 介质 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种单层电容器用晶界层陶瓷的介质瓷料，其特征在于：其组成及重量份为：SrCO3 64.66～65.95TiO2 34.99～35.69Nb2O5 0.20～0.45改性添加剂 0.5～15；所述的改性添加剂为SiO2，Al2O3，MnO2，CaCO3，CuO中的任何一种或几种。
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