[发明专利]纳米材料相转移侦测装置及方法无效
| 申请号： | 200510035291.9 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1877302A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈升熙 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米材料相转移侦测装置，其包括一真空腔，用于盛装一待测纳米流体；一加热装置，以供该纳米流体加热；一衰减全反射晶体，其包括一第一端面及一第二端面，及位于该第一端面与第二端面之间的多个侧面，该侧面形成有一高分子薄膜，该衰减全反射晶体位于该真空腔内及该纳米流体上方，且该第一端面及第二端面均位于该真空腔外；一光源，用于提供一光束经由该第一端面以全反射入射角入射到该衰减全反射晶体内；一光谱侦测器，用于接收由该第二端面出射的光束以侦测该纳米材料的特征吸收峰。本发明还提供一纳米材料相转移侦测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 转移 侦测 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米材料相转移侦测装置，其包括：一真空腔，用于盛装一待测纳米流体；一加热装置，以供该纳米流体加热；一衰减全反射晶体，其包括一第一端面及与该第一端面相对的第二端面，及位于该第一端面与第二端面之间并与之相邻的多个侧面，该侧面形成有一高分子薄膜，该衰减全反射晶体位于该真空腔内及该纳米流体上方，且该第一端面及第二端面均位于该真空腔外；一光源，用于提供一光束经由该第一端面以一全反射入射角入射到该衰减全反射晶体内；一光谱侦测器，用于接收经由该第二端面出射的光束以侦测该纳米流体中纳米材料的特征吸收峰。
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