[发明专利]制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法及MgAlON陶瓷无效
| 申请号： | 200510035304.2 | 申请日： | 2005-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1709824A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张厚兴;黄勇;李海峰;万之坚;黄晴 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法及高纯致密MgAlON陶瓷，其方法以MgO、Al2O3及AlN为原料，球磨成混合粉料，采用放电等离子烧结技术，通过适当的烧结工艺制备出具有一定化学组成的高纯致密MgAlON陶瓷。它实现了传统方法难以实现的高纯高致密MgAlON陶瓷的快速高效制备，能够在较低温度下，超快速制备出高纯或单相的致密的MgAlON陶瓷。制得的高纯致密MgAlON陶瓷中MgAlON相的含量为95～100％，相对密度为92～99％，体积密度为3.4～3.8g/cm3，可广泛应用于耐火材料及高技术陶瓷领域。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高纯 致密 mgalon 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法，其特征是包括以下步骤：a、取MgO、Al2O3、AlN配制原料，其中各组分的质量百分含量分别是，MgO 0.5～25％、Al2O3 60～90％、AlN 0.5～15％；b、将所述原料放入球磨罐中，以乙醇为介质共磨12～36小时，干燥后得混合粉料；c、将所述混合粉料置于石墨模具中，然后放入放电等离子烧结炉中，施加10～100MPa压力，进行烧结，升温速率为50～400℃/min，烧结温度为1400～1900℃，保温后随炉冷却至室温，即得高纯致密MgAlON陶瓷。
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