[发明专利]内存电压信号产生电路

摘要

一种内存电压信号产生电路，包括一第一控制模块、一核心电路和一第二控制模块，所述第一控制模块、第二控制模块及核心电路中的开关元件共同控制使该核心电路中的两电压之一处于工作状态；该核心电路包括一运算放大器、一第一N－MOS晶体管、一第二N－MOS晶体管、一开关元件和若干电阻元件，该运算放大器的输出端和反相输入端与该电压信号产生电路输出相连，同相输入端由一分压电阻接至参考电压，经由另一分压电阻接地，该第一N－MOS晶体管源极与该运算放大器的反相输入端相接，其栅极与所述运算放大器的输出端相连，漏极与所述第二N－MOS晶体管漏极相连并经由开关元件接至一电压；该第二N－MOS晶体管源极接至另一电压，其栅极与第一控制模块元件相连。

主权项

1.一种内存电压信号产生电路，包括一第一控制模块、一核心电路和一第二控制模块，该第一控制模块、第二控制模块及核心电路中的开关元件共同控制来择一选择核心电路中的两电压以实现该电路功能；其特征在于：该核心电路包括一运算放大器、一第一N-MOS晶体管、一第二N-MOS晶体管、一开关元件和若干电阻元件，所述运算放大器的输出端经一电阻元件与该信号产生电路的输出相连，其反相输入端与信号产生电路的输出端相连组成负反馈电路以稳定输出，其同相输入端经由一分压电阻耦合至参考电压，经由另一分压电阻接地，该第一N-MOS晶体管源极与所述运算放大器的反相输入端连接作为所述电压信号产生电路的输出端，其栅极与所述运算放大器的输出端相连，漏极与所述第二N-MOS晶体管的漏极相连并经由一开关元件接至一电压，该第二N-MOS晶体管源极接至另一电压，其栅极与第一控制模块元件相连。