[发明专利]一种GaN基LED外延片及其制备方法无效
| 申请号： | 200510035444.X | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885572A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李述体;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510070广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×1018～6×1018cm－3的掺受主的GaP层，并在缓冲层与量子阱之间生长一限制层。p型层空穴浓度增大，可降低p型层电阻，外加电压下能增加空穴的注入，并使电流扩散更均匀。同时，限制层能克服由于GaP禁带宽度小，对量子阱内电子和空穴的限制作用小的缺点，大大增强对量子阱内的电子和空穴起限制作用，增大量子阱中电子和空穴的复合，从而明显改善GaN基LED的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种GaN基LED外延片，其结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特征在于缓冲层与量子阱之间生长了限制层，且p型层为空穴浓度为2×1018～6×1018cm-3的GaP层。
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